霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。
霍尔效应实验报告包含：实验目的、实验仪器设备、实验的基本构思和原理、实验数据记录及处理、实验结论、注意事项等。目的与要求：（1）了解霍尔效应测量磁场的原理和方法；（2） 观察磁电效应现象；（3） 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。
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霍尔效应用公式表示为：E=KBIcosθ。E为霍尔效应电压，单位为伏特（V）；I是霍尔器件的工作电流，单位为安培（A）；B是外部磁场的磁感应强度，单位为特斯拉（T）θ为I与B的垂直角度的偏差，单位可以是角度（°）或弧度（rad）。K为霍尔器件的灵敏度，是常数；其单位为：V/（A.T）。
霍尔效应实验的误差分析：霍尔效应实验是一个受系统误差影响较大的实验，特别是在霍尔效应产生的同时，伴随产生的其他效应引起的附加电场对实验影响较大。
如已知霍尔样品的工作电流 及磁感应强度B的方向，如何判断样品的导电类型？以根据右手螺旋定则，从工作电流 旋到磁感应强度B确定的方向为正向，若测得的霍尔电压 为正，则样品为P型，反之则为N型。
根据霍尔效应做成的霍尔器件，就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。
霍尔效应实验报告包含：实验目的、实验仪器设备、实验的基本构思和原理、实验数据记录及处理、实验结论、注意事项等。目的与要求：（1）了解霍尔效应测量磁场的原理和方法；（2） 观察磁电效应现象；（3） 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。
霍尔效应用公式表示为：E=KBIcosθ。E为霍尔效应电压，单位为伏特（V）；I是霍尔器件的工作电流，单位为安培（A）；B是外部磁场的磁感应强度，单位为特斯拉（T）θ为I与B的垂直角度的偏差，单位可以是角度（°）或弧度（rad）。K为霍尔器件的灵敏度，是常数；其单位为：V/（A.T）。
应用于自动化控制 生活中，利用霍尔效应以及霍尔传感器对物体进行自动化处理的应用非常多。这里举两个最常见的例子。我们在进入一些高档场所，如星级酒店的时候，会进入那些自动门。这些门在人体靠近的时候，便会自动打开，这在一定程度上就是利用了霍尔效应以及霍尔传感器。
不是每个变化都是一样的吧。误差主要是四个 （1） 由于电极不对称引入的误差VIR，这种误差只与电流方向有关，而与磁场方向无关。（2） 爱延豪森效应VE，这种效应是由于电流与磁场同时存在时，在与电流和磁场垂直的方向上引起的温度差，由此温差又产生的温差电动势。它的正负与I，B的方向都有关。
测量霍尔电压的电压表的测量误差，测量工作电流的电流表的测量误差 测量霍尔器件厚度d的长度测量仪的测量误差 磁场方向与霍尔器件平面分夹角影响等。
霍尔效应原理如下：霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使抄该电压放大到足以输出。
零位误差及其补偿 当霍尔元件的激励电流不再为零时，若所处位置的磁感应强度为零。则霍尔电势仍应为零，但实际中若不为零，则此时空载的霍尔电势称为零位误差。
原理：当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应 在1879年被物理学家霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的电磁感应完全不同。
K为霍尔器件的灵敏度，是常数；其单位为：V/（A.T）。
数据处理 磁感应强度（特斯拉）H标在线包上。作曲线，由曲线求出，带入，计算出霍尔系数；计算载流子浓度n （m-3）， 其中e为电子电量 库仑； 绘制曲线 在坐标纸上绘出曲线； 计算电导率（安/伏米），及迁移率（米2/伏秒）。
Is=nevS，S=bd，VH=EH*B，so VH=Is*B/（ned）RH=1/（ne），KH=1/（ned）你说的K是什么。。
霍尔系数的单位是米的三次方每库仑。——立方米/库仑（m3/C）霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。
◆结构：三线摆是上、下两个匀质圆盘，通过三条等长的摆线（摆线为不易拉伸的细线）连接而成。◆原理：三线摆的摆动周期与摆盘的转动惯量有一定关系，所以把待测样品放在摆盘上后，三线摆系统的摆动周期就要相应地随之改变。这样，根据摆动周期、摆盘质量以及有关的参量，就能求出摆动系统的转动惯量。
霍尔效应是指在电导体中，当电流经过时，垂直于电流方向施加磁场时，会产生的横向电势差。测量霍尔效应需要测定一些参数，包括磁场强度、电流强度、霍尔电压、导体厚度等等。以下是一组可能的实验数据：磁场强度（T）：0.1，0.2，0.3，0.4，0.5。
霍尔效应及其应用汪礼胜武汉理工大学物理实验中心【实验目的】研究霍尔效应的基本特性（1）了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识；（2）测绘霍尔元件的VI和VI曲线；（3）确定霍尔元件的导电类型，测量其霍尔系数、载流子浓度以及迁移率。
霍尔效应实验报告包含：实验目的、实验仪器设备、实验的基本构思和原理、实验数据记录及处理、实验结论、注意事项等。目的与要求：（1）了解霍尔效应测量磁场的原理和方法；（2） 观察磁电效应现象；（3） 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。
霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/（mA.G）。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/（mA.G），它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。
霍尔效应由美国物理学家E.霍尔于1879年在实验中发现，以其人名命名并流传于世。其核心理论就是，带电粒子（例如电子）在磁场中运动时会受到洛伦兹力的作用发生偏转，那么在磁场中的电流也有可能发生偏转。假设导体为一个长方体，长度分别为a、b、d，磁场垂直ab平面。
